東洋炭素(株)【5310】の掲示板 2017/11/28〜2018/11/06

>>139

ＩＲ内容を見ると、４インチウエハーから事業撤退ということですね。現在主流の６インチは研究段階で論外。

一般にウエハーサイズが大きいほど、取れるチップ数が多くなります。４と６では面積が２．２５倍もちがい、量産コストも２倍以上異なることになります。
単価が２倍以上もするＳｉＣ素子を、だれが使ってくれるでしょう（だから撤退したわけです）。
現在の６インチも、表面の結晶欠陥が激減すれば８インチ（一般シリコンウエハ）も可能となり、大きなコストダウンとともにＳｉＣ半導体素子の普及が一気に進むことになるでしょうね（それでなくともＥＶ化などで巨大な需要）。

ここの技術はウエハの表面加工であり、従来の機械研磨方式に比べ表面のキズ（結晶欠陥）を激減させます。インゴットやウエハ（インゴットをスライス）を製造してるのではないので、その製造メーカーと提携する必要があります。昭和電工かもﾈ。

ところで、SiCやGaN（窒化ガリウム）を上回る性能を持つ酸化ガリウム(Ga2O3)が最近話題になっていますﾈ。
タムラ系のノベルクリスタルテクノロジー社や、京大系のFLOSFIA社が開発を進めていますが、実用化できたのはダイオード（ＦＥＴと組み合わせて使用）のみ。一番必要なＦＥＴ素子はまだこれからです（２０２３年ころ？）。
ＦＥＴへの採用が難しいのは「ノーマルオフ」素子にできていないからです。直流電源に接続するときＯＮ状態ではショートしてしまいます。「ノーマルオン」素子を使うには、あらかじめゲートに負のバイアス電源を接続しておく必要があり難易度高く安全面で問題あります。
過去インフィニオン社（最も早くＳｉＣーＦＥＴを実用化した独半導体メーカー）が、一般シリコンＦＥＴを直列接続して問題解決する方法が提案されましたが、超低損失という利点が半減してしまいコストＵＰにもなります。
当分難しそうですね。