投稿一覧に戻る 東洋炭素(株)【5310】の掲示板 2017/11/28〜2018/11/06 141 gpl***** 2018年1月8日 10:16 >>140 >ここの技術はウエハの表面加工であり、従来の機械研磨方式に比べ表面のキズ（結晶欠陥）を激減させます。インゴットやウエハ（インゴットをスライス）を製造してるのではないので、その製造メーカーと提携する必要があります。昭和電工かもﾈ。 CREEもinfinionにSiC事業を売却しようとした（米政府の横槍で破談）のもやっぱり儲からない雰囲気だからなんでしょうね。CREEの決算書は現在も儲かってませんね。 >ところで、SiCやGaN（窒化ガリウム）を上回る性能を持つ酸化ガリウム(Ga2O3)が最近話題になっていますﾈ。 タムラ系のノベルクリスタルテクノロジー社や、京大系のFLOSFIA社が開発を進めていますが、実用化できたのはダイオード（ＦＥＴと組み合わせて使用）のみ。一番必要なＦＥＴ素子はまだこれからです（２０２３年ころ？）。 ＦＥＴへの採用が難しいのは「ノーマルオフ」素子にできていないからです。直流電源に接続するときＯＮ状態ではショートしてしまいます。「ノーマルオン」素子を使うには、あらかじめゲートに負のバイアス電源を接続しておく必要があり難易度高く安全面で問題あります。 ワイドバンドギャップなんですね、電池で言えばリチウムイオンみたいな感じでしょうか。実用化すれば化けそうな雰囲気。ノーマルオンってことはｐ型かｎ型かどちらかのドーピング（空乏層形成）がうまく行かないんですね。やっぱり単結晶シリコンは偉大ですね。現実に儲かってますもんね。 昔話ですが、NECトーキンがリチウムイオンキャパシタのプレスリリースを連発していた時期があって、これを読んですげえなー、NECトーキンの株買っちゃおっかなーと思ったのですが、虫の知らせがあり、何故か買わないでいたところ、いつのまにか消えて無くなった事件があります。東芝のSCiBなんかはもうすこしリアルな感じですが、いまいち乗り切れないのはこういう経験が原因にあります。SiCも似てるんですよね。。 そう思う6 そう思わない3 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
>>140
>ここの技術はウエハの表面加工であり、従来の機械研磨方式に比べ表面のキズ（結晶欠陥）を激減させます。インゴットやウエハ（インゴットをスライス）を製造してるのではないので、その製造メーカーと提携する必要があります。昭和電工かもﾈ。
CREEもinfinionにSiC事業を売却しようとした（米政府の横槍で破談）のもやっぱり儲からない雰囲気だからなんでしょうね。CREEの決算書は現在も儲かってませんね。
>ところで、SiCやGaN（窒化ガリウム）を上回る性能を持つ酸化ガリウム(Ga2O3)が最近話題になっていますﾈ。
タムラ系のノベルクリスタルテクノロジー社や、京大系のFLOSFIA社が開発を進めていますが、実用化できたのはダイオード（ＦＥＴと組み合わせて使用）のみ。一番必要なＦＥＴ素子はまだこれからです（２０２３年ころ？）。
ＦＥＴへの採用が難しいのは「ノーマルオフ」素子にできていないからです。直流電源に接続するときＯＮ状態ではショートしてしまいます。「ノーマルオン」素子を使うには、あらかじめゲートに負のバイアス電源を接続しておく必要があり難易度高く安全面で問題あります。
ワイドバンドギャップなんですね、電池で言えばリチウムイオンみたいな感じでしょうか。実用化すれば化けそうな雰囲気。ノーマルオンってことはｐ型かｎ型かどちらかのドーピング（空乏層形成）がうまく行かないんですね。やっぱり単結晶シリコンは偉大ですね。現実に儲かってますもんね。
昔話ですが、NECトーキンがリチウムイオンキャパシタのプレスリリースを連発していた時期があって、これを読んですげえなー、NECトーキンの株買っちゃおっかなーと思ったのですが、虫の知らせがあり、何故か買わないでいたところ、いつのまにか消えて無くなった事件があります。東芝のSCiBなんかはもうすこしリアルな感じですが、いまいち乗り切れないのはこういう経験が原因にあります。SiCも似てるんですよね。。