投稿一覧に戻る
東洋炭素(株)【5310】の掲示板 2017/11/28〜2018/11/06
-
>>143
御存知の通り、シリコンMOSFETやIGBTも、並列にすればいくらでもオン抵抗を減らすことができます。ただ、並列にすると駆動電流も増えるのでトータルで省エネにならない場合もあるんですね。SiCやGaNなど化合物半導体はシリコンの限界を打ち破る特性が実現できるので回路の小型化や省エネ化が進展するんですね。確かにEVの時代には大きな需要が産まれますが、シリコンデバイスの方も地道に進歩していますから単純にSiCマンセーとも言えないんですよね。EVもいつ来るか分からないし。信越化学やSUMCOがSiCウエハに手を出さないのもそういう事情があるんだと思います。難しいですね。
gpl*****
>>142
現時点で、メインがシリコンなのはそのとうり。
ＳｉＣ半導体（SiC-MOSFET)が儲からないのはコストが高いからです。記憶では１０年ほど前、SiC-FETが出始めたころ、同サイズのSi-FETと比較すると約５倍以上の単価でした。現在は２～３倍くらいでしょうか。
コスト高 → 使われない → コストを下げる設備投資もできない。
しかし状況が変わってきました。世界的ＥＶ化の流れ・・ＳｉＣを使わざるを得なくなってきているのです。
だから最近になってメディアが騒ぎ出しています。
過去、液晶ＦＤＰは出始めのころ非常に高価でした。しかし地デジ開始などをきっかけに急速に伸び始め、メーカーも巨大ガラス基板製造設備など設備投資を積極化しました。その結果、価格は・・普及は・・
将来のことはわかりませんが、ＳｉＣも同じ道をたどることになると思います。
ポイントは、結晶欠陥のない８インチウエハの開発、多少欠陥あっても逃げる技術、歩留まりを改善し高性能化する表面処理技術・・・などなど。