東洋炭素(株)【5310】の掲示板 2017/11/28〜2018/11/06

>>145

>ＩＧＢＴの場合、耐電圧はＳｉ－ＭＯＳＦＥＴより高い（内部ＰＮＰバイポーラパワートランジスタに依存）ですが、何個並列にしようが、内部構造がＰＮＰトランジスタとの組み合わせ（インバーテッドダーリントン接続という）なのでロス電圧（飽和電圧≒ダイオード１個分以上でＯＮ抵抗とは別物。電流ゼロ付近でも電圧ゼロにならない）が発生します。この飽和電圧はいくつ並列にしようが変わりません。さらにバイポーラトランジスタ特有の蓄積効果で、高周波スイッチングにも弱いのです。

IGBTで効率を上げるにはコレクタ・エミッタ間の電圧を限界まで上げて使うんでしょうけど、それでも容量が足りない場合は並列にするんですね。でも、並列にしても効率は上がらない。SiCはこの耐圧が高いのでIGBTに仕立てても高効率化できるというわけなんでございますね。ＳｉＣの場合はバンドギャップが広いので飽和電圧も高くなりますが、それを上回る高耐圧特性を持っているということですか。