投稿一覧に戻る フューチャーベンチャーキャピタル(株)【8462】の掲示板 2018/10/28〜2018/11/09 1056 yas***** 2018年11月9日 13:51 FLOSFIA在日本首次成功地证明了使用氧化锌实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为极具挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。 h t tp://www.eeworld.com.cn/manufacture/2018/ic-news110627161.html そう思う1 そう思わない0 開く お気に入りユーザーに登録する 無視ユーザーに登録する 違反報告する 証券取引等監視委員会に情報提供する ツイート 投稿一覧に戻る
FLOSFIA在日本首次成功地证明了使用氧化锌实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为极具挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。
h
t
tp://www.eeworld.com.cn/manufacture/2018/ic-news110627161.html